JB/T 8946-1999 真空離子鍍膜設(shè)備

2009-06-28 全國(guó)真空技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) 真空技術(shù)網(wǎng)整理

JB/T 8946—1999 真空離子鍍膜設(shè)備

Vacuum ion coating plant

1、范圍

JB/T 8946—1999 真空離子鍍膜設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了真空離子鍍膜設(shè)備的技術(shù)要求，試驗(yàn)方法，檢驗(yàn)規(guī)則，標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于壓力在10-4~10-3Pa范圍的真空離子鍍膜設(shè)備（以下簡(jiǎn)稱設(shè)備），具體包括如下類型：多弧離子鍍、電弧放電型真空離子鍍、空心陰極離子鍍（HCD）、射頻離子鍍（RFIP）、直流放電二極型（DCIP）、多陰極型、活性反應(yīng)蒸發(fā)鍍（ARE）、增強(qiáng)型ARE、低壓等離子體離子鍍（LFPD）、電場(chǎng)蒸發(fā)離子鍍、感應(yīng)加熱離子鍍、簇團(tuán)離子束鍍等。

注：離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時(shí)，把蒸發(fā)物或其反應(yīng)物沉積在基片上。

2、引用標(biāo)準(zhǔn)

下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。

GB/T 6070—1995 真空法蘭

GB/T 11164—1999 真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件

3、技術(shù)要求

3.1設(shè)備正常工作條件

3.1.1 環(huán)境溫度：10℃~30℃。

3.1.2 相對(duì)濕度：不大于75%。

3.1.3 冷卻水進(jìn)水溫度：不高于25℃。

3.1.4 冷卻水質(zhì)：城市自來水或相當(dāng)質(zhì)量的水。

3.1.5 供電電源：380 V三相50 Hz 或220 V單相50 Hz（由所用電器需要而定）；

電壓波動(dòng)范圍：342 ~ 399 V或198 ~231 V；

頻率波動(dòng)范圍：49~51 Hz。

3.1.6 設(shè)備所需的壓縮空氣，液氮，冷水、熱水等的壓力、溫度，消耗量等，均應(yīng)在產(chǎn)品使用說明書中寫明。