JB/T 8945—1999 真空濺射鍍膜設(shè)備

Vacuum sputtering coating plant

1、范圍

JB/T 8945—1999 真空濺射鍍膜設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了真空濺射鍍膜設(shè)備的型號和基本參數(shù)，技術(shù)要求，試驗方法，檢驗規(guī)則，標(biāo)志、包裝、運輸和貯存等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于壓力在1×10-4~5×10-3 Pa 范圍的真空賤射鍍膜設(shè)備（以下簡稱設(shè)備）。

2、引用標(biāo)準(zhǔn)

下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。

GB 191—1990 包裝儲運圖示標(biāo)志

GB/T 6070—1995 真空法蘭

GB/T 11164—1999 真空鍍膜設(shè)備 通用技術(shù)條件

GB/T 13306—1991 標(biāo)牌

JB/T 1090—1991 J型真空用橡膠密封圈

JB/T 1091—1991 JO型和骨架型真空用橡膠密封圈 型式及尺寸

JB/T 1092—1991 O型真空用橡膠密封圈 型式及尺寸

JB/T 7673—1995 真空設(shè)備 型號編制方法

3、型號與基本參數(shù)

3.1、設(shè)備的型號應(yīng)符合JB/T 7673的規(guī)定。

3.2、設(shè)備的基本參數(shù)應(yīng)符合表1 的規(guī)定。

表 1 基本參數(shù)

4、技術(shù)要求

4.1、設(shè)備正常工作條件

4.1.1、溫度：10~30℃。

4.1.2、相對濕度：不大于75%。

4.1.3、冷卻水進水溫度：不高于25℃。

4.1.4、冷卻水質(zhì)量：城市自來水或質(zhì)量相當(dāng)?shù)乃��?/p>

4.1.5、供電電源：380V、三相四線制、50 Hz，電壓波動范圍：361~399 V，頻率波動范圍：49~51 Hz。

4.1.6、環(huán)境：室內(nèi)應(yīng)整潔；地面、天花板及設(shè)備周圍墻壁應(yīng)干凈；空氣應(yīng)清潔，不應(yīng)有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵�；驓怏w存在。

4.2、結(jié)構(gòu)要求

4.2.1、設(shè)備中靜、動密封圈的結(jié)構(gòu)形式及尺寸應(yīng)符合GB/T 6070和JB/T 1090~1092的規(guī)定。

4.2.2、真空管道上和鍍膜室靠近排氣口位置上應(yīng)裝設(shè)真空測試規(guī)管，分別測量各部位的壓力。

4.2.3、如果設(shè)備以油擴散泵或油擴散噴射泵為主泵，應(yīng)在其進氣口一側(cè)安裝油蒸氣捕集阱。

4.2.4、鍍膜室應(yīng)設(shè)有觀察窗，對在鍍膜過程中發(fā)生射線的設(shè)備，觀察窗上應(yīng)加裝防射線鏡片。

4.3、制造質(zhì)量

設(shè)備的制造質(zhì)量要求按GB/T 11164—1999 中4.4。

4.4、安全防護要求

設(shè)備的安全防護要求按GB/T 11164—1999 中4.5。

5、試驗方法

5.1、極限壓力

5.1.1、試驗條件

a）鍍膜室內(nèi)為空載（即不放被鍍物品，也不進行濺射），不得拆去設(shè)備正常工作時應(yīng)安裝的濺射源、工件支架等部件；

b）真空測量規(guī)管應(yīng)裝于鍍膜室靠近排氣口位置上；

c）允許在抽氣過程中用設(shè)備本身配有的加熱或轟擊裝置對鍍膜室進行除氣。

5.1.2、測試方法

按GB/T 11164—1999 中的5.2.2。

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