孿生磁控濺射制備氮化鉻涂層的研究

2014-02-24 尹 星 核工業(yè)西南物理研究院

  主要研究了孿生磁控濺射技術(shù)制備不同含氮量的CrNx涂層,以及N2流量對涂層組織、結(jié)構(gòu)性能、耐腐蝕性能的影響。試驗設(shè)備采用自行研制的MSP-1000復(fù)合離子鍍膜機,配置了四對孿生磁控濺射靶和對稱雙極性脈沖中頻磁控濺射電源。結(jié)果表明:增加氮流量對膜層的性質(zhì)有重要的影響。如CrN晶體生長取向,隨著N2流量的增加CrN擇優(yōu)取向由<111>轉(zhuǎn)變?yōu)?lt;200>,N2流量較低時涂層中生成有Cr2N相。在N2流量為33%和100%時的CrNx腐蝕電位分別為-0.17和-0.33V,具有較強的抗鹽霧腐蝕性能。

  CrN涂層作為硬質(zhì)薄膜性能十分優(yōu)越,在工業(yè)應(yīng)用中常用來保護基體材料,如阻擋表面腐蝕、磨損以及相關(guān)的損傷。CrN通常使用物理氣相沉積(PVD physical vapor deposition)方法制備,特別是其中的直流磁控濺射技術(shù)能達到很高的沉積速率,但是要求靶材料必須是導(dǎo)體,而且在反應(yīng)氣體中容易形成導(dǎo)電性能差或是絕緣的化合物,這種反應(yīng)不能完全限制在基片上,在靶表面及其附近都有可能發(fā)生,這時沉積過程的穩(wěn)定性就難以得到保證。對稱雙極性脈沖磁控濺射技術(shù)就克服了這個缺點,在沉積過程中不會產(chǎn)生中毒現(xiàn)象,而且能最大化減少環(huán)境污染物,兩個完全相同的靶其中一個為負(fù)極,另外一個就充當(dāng)陽極的作用,這時陰極產(chǎn)生的二次電子就會加速流向陽極并中和表面的電荷,這種工作方式的優(yōu)點不僅能夠消除弧光放電減少大顆粒的產(chǎn)生而且能夠解決陽極消失的問題,因此中頻磁控濺射工藝過程穩(wěn)定,制備的薄膜性能優(yōu)越。

  氮化鉻的研究主要集中在摩擦、機械性能以及摻雜等方面,但是關(guān)于耐腐蝕性能與氮氬流量比的關(guān)系還未深入研究。本文的主要目的是利用中頻磁控濺射技術(shù)優(yōu)勢制備CrNx涂層并研究氮氣流量對涂層結(jié)構(gòu)、耐腐蝕等性能的影響。

1、試驗方法

  本實驗所用基體材料為201不銹鋼,名義成分(質(zhì)量比)如表1所示;w尺寸20mm×30mm,實驗前經(jīng)過丙酮、無水乙醇、去離子水分別超聲清洗10min,烘干備用。實驗采用自行研制的MSP-1000鍍膜系統(tǒng)沉積CrNx涂層,鉻靶純度99.9%,氮氣純度99.95%。實驗分為三個階段如圖1所示,第一階段:加熱至100℃去除真空室器壁表面吸附氣體,將真空度抽至2×10-3 Pa。第二階段,樣品加-800V偏壓,濺射出來的Cr離子在偏壓的作用下轟擊樣品表面,超聲清洗后仍然會有污染物殘留,通過轟擊可以進一步達到清潔的目的,另外一個作用就當(dāng)Cr離子的能量足夠高時,會出現(xiàn)一種注入效應(yīng)。第三階段:在沉積氮化鉻薄膜時將偏壓調(diào)到-300V,四組實驗通入不同比例的氮氬(體積含量),分別為33%,50%,67%,100%,分別標(biāo)記為1#,2#,3#,4#。

表1 201不銹鋼的名義成分

201不銹鋼的名義成分

CrNx涂層的沉積次序

圖1 CrNx涂層的沉積次序

  采用丹東方圓DX2700X射線衍射(XRD)儀研究CrNx涂層組織結(jié)構(gòu)。日本JSM-6490VL掃描電鏡(SEM)觀察表面形貌,美國EDAX-Genesis型X射線能譜(XPS)儀。普林斯頓PAR2273電化學(xué)工作站以及鹽霧試驗箱YWX/150B測試在不同的氮氣含量下生成CrNx薄膜的耐腐蝕性能。

3、結(jié)論

  (1)利用中頻磁控濺射技術(shù)成功制備了光滑致密的CrNx涂層。當(dāng)?shù)獨饬勘容^低時CrNx涂層主要由CrN和Cr2N兩相組成,但是當(dāng)?shù)獨饬髁坷^續(xù)增多時擇優(yōu)取向由CrN<111>轉(zhuǎn)變?yōu)镃rN<200>。

  (2)不同氮氣流量下制備的CrNx涂層具有不同的抗腐蝕能力。當(dāng)N2流量為33%時CrNx表面致密光滑,抗鹽霧腐蝕達到200h,具有最佳的耐腐蝕性能。