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直流磁控濺射輝光等離子體的Langmuir靜電探針診斷

電子溫度隨著離靶面距離增大而遞減;電子密度在徑向和軸向均存在波動;電子能量主要分布在0 eV～5 eV范圍內(nèi),高能電子占比例極少.

非平衡磁控濺射沉積TiN/Ti-O復(fù)合薄膜機(jī)械性能研究

利用非平衡磁控濺射設(shè)備,采用四種不同的TiN到Ti-O的過渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基體上制備了TiN/Ti-O薄膜。

濺射角度對氧化鉻薄膜性能結(jié)構(gòu)的影響

硬質(zhì)涂層對工件表面改性已經(jīng)成為現(xiàn)代先進(jìn)制造加工行業(yè)越來越重視的工藝,工件一般為復(fù)雜外形,保證工件表面涂層性能結(jié)構(gòu)的一致性尤為重要。

輔助離子束功率密度對透明塑料上室溫磁控濺射沉積ITO薄膜結(jié)構(gòu)和形貌的影響

基于雙極脈沖磁控濺射復(fù)合離子束輔助沉積的新工藝,在透明塑料聚碳酸酯基片上,常溫制備了透明導(dǎo)電的銦錫氧化物(ITO)薄膜.重點(diǎn)研究了不同輔助離子束功率密度對ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌的影響。

磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法

由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點(diǎn)是靶材表面的磁場達(dá)不到正常磁控濺射時(shí)要求的磁場強(qiáng)度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強(qiáng)度。

磁控濺射鐵磁性靶材存在的問題

合金膜的濺射沉積方法

為使濺射系統(tǒng)所用靶的數(shù)量減少，盡量用一個(gè)靶就能濺射沉積制取符合成分及性能要求的合金薄膜，可以采用合金靶、復(fù)合鑲嵌靶、以及采用多靶濺射等。

非對稱脈沖磁控濺射的工作原理

脈沖磁控濺射一般使用矩形波電壓，由于所用的脈沖波形是非對稱性的，因此得名為非對稱脈沖磁控濺射。

磁控濺射中電磁場分布二維模擬

本文采用計(jì)算機(jī)FORTRAN語言自主編程，通過建立通電線圈磁場的數(shù)學(xué)模型，對磁控濺射靶附近由通電線圈產(chǎn)生的磁場分布進(jìn)行了二維數(shù)值模擬計(jì)算。

太陽能選擇性吸收涂層中鋁靶拐點(diǎn)電壓的影響因素分析

射頻磁控濺射法ZnO薄膜制備工藝的優(yōu)化

在采用射頻磁控濺射在Si 和玻璃襯底上制備單層ZnO 薄膜時(shí)，薄膜會受到濺射功率、襯底溫度、氧氬比以及工作氣壓等的影響。本文中將詳細(xì)討論這些因素對ZnO薄膜晶體質(zhì)量，應(yīng)力以及光學(xué)性能的影響。

氧分壓對直流磁控濺射IGZO薄膜特性的影響

本文采用直流磁控濺射技術(shù)，在室溫下通過改變氧分壓的工藝條件制備了IGZO 薄膜，系統(tǒng)性的分析了氧分壓對薄膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌、元素結(jié)合能及電學(xué)與光學(xué)等特性的影響。

沉積溫度對磁控濺射制備V-Al-Si-N硬質(zhì)涂層結(jié)構(gòu)及性能的影響

本文利用磁控濺射的方法通過改變基片溫度制備了不同沉積溫度的V-Al-Si-N涂層，并利用X射線衍射(XRD) 、掃描電鏡(SEM) 、納米壓痕儀和摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)對涂層的結(jié)構(gòu)及性能進(jìn)行了分析。

固體潤滑軸承用9Cr18不銹鋼離子注入與磁控濺射改性真空摩擦學(xué)研究

為了提高空間固體潤滑滾動軸承耐磨壽命，采用全方位離子注入和磁控濺射技術(shù)對空間固體潤滑軸承用9Cr18材料進(jìn)行耐磨減摩表面改性研究。

偏壓對磁控濺射制備Ni摻雜TiB2基涂層結(jié)構(gòu)及力學(xué)性能的影響

本文采用中頻和射頻電源的雙靶磁控濺射設(shè)備通過改變基片偏壓制備了不同偏壓的TiB2-Ni涂層。對所制備的涂層進(jìn)行了結(jié)構(gòu)和性能的研究，探討了偏壓對其生長結(jié)構(gòu)，以及硬度、斷裂韌性、膜基結(jié)合力和摩擦學(xué)等方面的性能。

高溫鋁液中TiAlN硬鍍層失效機(jī)理研究

本文以H13鋼基體上的磁控濺射TiAlN鍍層為研究對象，通過鍍層在高溫鋁液中長時(shí)間浸蝕后對表面、截面形貌變化和成分分析等途徑，探討硬質(zhì)鍍層在高溫鋁液中的失效機(jī)理。

大曲率球形基底表面膜厚均勻性的實(shí)現(xiàn)

針對球形基底膜厚均勻性問題，提出了一種新的思路，設(shè)計(jì)改造了一種新型布局的磁控濺射設(shè)備，以解決大曲率球形基底外表面膜層的均勻性問題。

復(fù)合高功率脈沖磁控濺射放電等離子體特性

本文采用脈沖與直流電源并聯(lián)模式的復(fù)合HIPIMS，針對Ti、Cr靶研究脈沖電壓對復(fù)合HIPIMS 過程中的靶電壓、靶電流、電子密度(Ne)、電子溫度(Te)、等離子體電勢(Vs)以及基體電流等微觀參數(shù)的影響。

沉積時(shí)間對磁控濺射法制備寬禁帶半導(dǎo)體薄膜材料ZnS物性及光學(xué)性質(zhì)的影響

本文用磁控濺射法制備了ZnS薄膜，并對薄膜的物理性質(zhì)及光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了細(xì)致的研究。為ZnS薄膜材料的進(jìn)一步應(yīng)用，提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)。

不同相結(jié)構(gòu)Ti33Al67靶材磁控濺射薄膜對比研究

本文研究了一種成分相同，而相結(jié)構(gòu)完全不同的Ti33Al67靶材沉積薄膜的性能，從微觀角度探討了兩種靶材沉積薄膜性能產(chǎn)生差異的原因。