氣相沉積
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等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術基礎
等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子化學活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。
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晶界“背脊”形貌對熱障涂層熱沖擊壽命的影響
本文的主要研究工作是采用化學氣相沉積和電子束物理氣相沉積技術在鎳基單晶高溫合金上分別制備鉑改性鋁化物涂層和陶瓷熱障涂層,開展粘結層表面晶界“背脊”形貌對熱障涂層體系熱沖擊壽命的影響行為和可能的TBCs 剝
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靶基距和錠料蒸發(fā)速率對沉積薄板厚度均勻性的影響
本工作根據(jù)真空蒸鍍中小面源具有方向性的發(fā)射特性,即余弦角度分布規(guī)律,同時結合EBPVD自身發(fā)射特點,建立了一個多錠料蒸發(fā)理論模型,討論了靶基距和不同坩堝蒸發(fā)速率對厚度均勻性和有效蒸發(fā)效率的影響,并對實際沉
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CVD直接生長技術高效碳納米管鎳氫電池的研究
采用熱化學氣相沉積技術(CVD),在泡沫鎳表面直接生長多壁碳納米管(MWNT),以此MWNT-泡沫鎳基底為電池集流體,并使用該基底、通過干粉末滾壓工藝制備鎳氫電池電極,對電池進行了一系列的充放電性能測試。
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MPCVD法合成單晶金剛石的研究及應用進展
本文簡介近年來MPCVD技術合成單晶金剛石的研究進展,評述了在該研究領域處于領先地位的英美日等國有關公司及研究機構所取得的成果,并對單晶金剛石的應用前景作出了展望。
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基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法研究
本文提出了基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法,綜合了單因素試驗和數(shù)字模擬的正交試驗設計兩種優(yōu)化方法。
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大批量微細刀具HFCVD涂層制備的溫度場仿真與試驗分析
本文以HFCVD沉積大批量微細刀具金剛石涂層系統(tǒng)為研究對象,利用有限容積法的仿真方法,對影響基體溫度場的多個工藝參數(shù)進行仿真與分析,并提出優(yōu)化設計的方案。
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固態(tài)碳源溫度對法CVD生長石墨烯薄膜影響的研究
本文主要探索了固態(tài)源溫度變化對石墨烯生長的影響,并采用固態(tài)源動態(tài)變溫的方法生長了石墨烯,有效提高了所得石墨烯薄膜的覆蓋率。
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MPCVD法制備低粒徑納米金剛石薄膜的研究
采用MPCVD法,以Ar/H2/CH4為氣源,探索較高濃度氬氣和氣壓條件下低粒徑納米金剛石的制備工藝,并對生長的納米金剛石膜的晶粒尺寸,薄膜質量,殘余應力,表面形貌進行分析。
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微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法在碳纖維上制備碳納米管
利用微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法在碳纖維上制備了碳納米管,并在此基礎上系統(tǒng)地研究了微波功率、反應時間、催化劑前驅體的吸附時間以及吸附濃度對碳納米管生長的影響。
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正交電磁場離子源及其在PVD 法制備硬質涂層中的應用
本文介紹幾種不同類型的正交電磁場離子源,并結合其在不同體系硬質涂層沉積過程中的應用,綜述離子源的結構、工作原理;分析其產(chǎn)生的離子束對硬質涂層成分、結構、性能的影響。
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CO2對MPCVD制備金剛石膜的影響研究
應用微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)技術,以CH4/H2/N2為主要氣源,通過添加CO2輔助氣體,并與未添加CO2輔助氣體進行對比,進行了金剛石膜沉積。
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