摘　要：用化學(xué)氣相淀積方法在Si(100)襯底上外延生長(zhǎng)Ge組分漸變的Si1-xGex:C合金薄膜.本文通過(guò)能量色散譜儀喬(EDS)和掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)合金薄膜的元素深度分布和表面形貌進(jìn)行了表征,分析研究了外延層的生長(zhǎng)溫度、生長(zhǎng)時(shí)間對(duì)Si1-xGex:C合金薄膜性質(zhì)的影響.結(jié)果表明,Si1-xGex:C外延層生長(zhǎng)溫度和生長(zhǎng)時(shí)間一定范圍內(nèi)的增加加強(qiáng)了島與島之間的合并,促進(jìn)了襯底Si原子向表面擴(kuò)散、表面Ge原子向襯底擴(kuò)散,且生長(zhǎng)溫度比生長(zhǎng)時(shí)間對(duì)Si、Ge原子互擴(kuò)散的影響大.

　　關(guān)鍵詞：Si1-xGex:C合金薄膜;擴(kuò)散;能量色散譜儀;化學(xué)氣相淀積

　　分類號(hào)：TN304.2　文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A

　　文章編號(hào)：1672-7126(2008)增刊-052-04

Growth Conditions and Stoichiometries of Si1-xGex:C Alloy Films

Mei Qin　 Han Ping　 Wang Ronghua　 Wu Jun　 Xia Dongmei　 Ge Ruiping　 Zhao Hong　 Xie Zili　 Xiu Xiangqian　 Zhang Rong　 Zheng Youliao