摘　要：本工作采用化學(xué)氣相淀積方法,以GcH4為反應(yīng)氣源,以InN/CaN/Al2O3(0001)復(fù)合襯底作陪片,在CaN/Al2O3(0001)復(fù)合襯底上外延生長(zhǎng)了Ge薄膜,并對(duì)生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了探討.研究結(jié)果表明:直接在N2氣氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面較平整,由吸收光譜得出其帶隙寬度為0.78 eV;經(jīng)過H2預(yù)處理,CaN/Al2O3復(fù)合襯底表面出現(xiàn)金屬In的沉積,外延Ge薄膜沿(111)方向擇優(yōu)生長(zhǎng),晶體質(zhì)量較高.

　　關(guān)鍵詞：化學(xué)氣相淀積;Ge薄膜;GaN;金屬In

　　分類號(hào)：TN304.055　文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A

　　文章編號(hào)：1672-7126(2008)增刊-009-04

　　Chemical Vapor Deposition of Ge on GaN/Al2O3(0001) Substrates

　　Wang Ronghua　 Han Ping　 Cao Liang　 Mei Qin　 Wu Jun　 Ge Ruiping　 Xie Zili　 Chen Peng　 Lu Hai　 Gu Shulin　 Zhang Rong　 Zheng Youliao

　　基金項(xiàng)目：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展規(guī)劃(No.2006CB604900);國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展規(guī)劃(No.2006AA03A103,2006AA03A142);國(guó)家自然科學(xué)基金(No.60421003);高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金(No.20050284004)和單片集成電路與模塊國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室2006年度基金(No.9140C1404010605)

　　作者簡(jiǎn)介：韓平,聯(lián)系人:E-mail:hanping@nju.edu.cn

　　作者單位：王榮華(南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093)

　　韓平(南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093)

　　曹亮(南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093)

　　梅琴(南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093)

　　吳軍(南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093)

　　葛瑞萍(南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093)

　　謝自力(南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093)

　　陳鵬(南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093)

　　陸海(南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093)

　　顧書林(南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093)

　　張榮(南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093)

　　鄭有炓(南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093)

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